才看到消息，丑国不提供128层以上技术，估计就是冲着长江存储来的

技术不要它提供，设备才会被卡。

长江存储一期二期股东比较复杂
希望迅速理清楚了快速上市
去市场上融个千把亿回来
进军dram
武汉要吃下nflash跟dram两大业务
基本可以稳居国内芯片第一方阵

先在nand市场站稳了再考虑上市吧，上市就做成巨无霸那种，给湖北冲冲gdp

长存有针对C端的存储产品吗？或者都卖给那些厂家了？

@Raidy88 有自己的品牌致钛

听说层数堆叠已经超越三星了？真的是看长存发展，就是一部中国科技赶超史的缩影~

漂亮国制裁已经来了

@xxxtttt 已经清理清楚了，最终股东只有大基金和东新管委会

@clarencecc 紫光完全出局？

也不慌着上市，上市了技术容易被绑架，再出点成果再上市来个大的也不错

@xxxtttt 那这个稳了，打tw就没有顾虑了！

@alex5xiansen 这来的也太快了吧，我们还是得自己研究生产设备啊！

就不应该把向中芯国际这些高科技的产业大部分布局在沿海。美帝老是在沿海搞事情，虽然一直喊狼来了，狼都没有来，但终究还是会来的。应该把无法替代的顶尖科技公司机构搞到内地，像富士康种劳动密集型的留给沿海。这样一来不就又利好了光谷东。

@duwhere 完全出局了。刚理清楚，紫光前高层们就进去了

今年底长存二期就应该投产了，总投资已经到320亿美元了。中西部最大的高科技产业项目。

存储搞定后就差逻辑芯片的fab了，武汉集成电路重镇的地位彻底奠定。

武汉新芯一直在做逻辑芯片代工，等闪存赚钱了，可以学习三星直接加大高端逻辑代工。

@glyybb 前几天看到网上有人说新芯制造的ddr4内存有出货，不知道真假

能被美国制裁说明很强

@duwhere 是不是这个新闻？

武汉新芯3DLink™技术，赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)平台
崔 欢欢 发布于 2021-06-24 分类：新科技
近日，武汉新芯集成电路制造有限公司（简称“武汉新芯”）与西安紫光国芯半导体有限公司（简称“西安紫光国芯”）开展专业领域纵深合作，其自主开发的3DLink™技术赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM) 平台，加速行业技术创新实现重大突破：异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM)技术达到目前世界领先水平，相关技术论文已被IEDM 2020、CICC 2021成功录取，在IMW 2021也做了专题报告。武汉新芯基于全新的三维集成技术平台(3DLink™)，实现了多款可定制化开发的工艺解决方案进入量产。

西安紫光国芯通过代工合作的方式使用武汉新芯晶圆堆叠技术3DLink™设计SeDRAM平台，将DRAM晶圆和其他不同工艺节点的逻辑晶圆利用Cu-Cu（铜-铜）互连的方式直接键合，实现对存储器的直接访问。通过定制的DRAM支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同逻辑工艺提供标准化接口和测试用IP，使SoC集成更加简单快捷。武汉新芯3DLink™技术突破传统封装级Micro-bump互连架构的限制，通过多片晶圆直接键合，达到高密度互连，实现从逻辑电路到存储阵列之间每Gbit高达34GB/s的带宽和0.88pJ/bit的能效。基于SeDRAM平台的两款SoC产品已经在武汉新芯大规模量产。

@glyybb
这个早过时了
武汉新芯目前在做ddr4的技术验证
计划1万片

反正去年业内就在传武汉新芯验证三维堆叠LPDDR4工艺

内存太贵了，想把笔记本换成32G*2，大概要2000左右，还是算了。固态价格倒是慢慢降下来了。

长存武汉的崛起的唯一希望，做好了就是第二个华为，要加油啊