没有半导体相关行业的吗？
还是半导体行业的上班不摸鱼啊

DY@小羊爱理财

@deepfuuk #2 不爱看财经博主，看行业，产业链才靠谱。

@Benicer 这个博主好像只买半导体。另，要说目前最先进的国产EUV光刻机样机，只能是中芯国际出吧，毕竟带着政治任务，不缺人和钱

foundry是要进无尘无电子设备车间，另外还有保密协定。制造设备的设备，这个产业链很长很复杂

@ToyJoy #6
听说过，进无尘设备间需要穿全包裹工服，还不能带手机。
产业链长复杂，一旦商业化，放量后那就机会更多了。

光刻机实验样机，跟中芯国际有啥关系，中芯国际是光刻机厂家的客户

奥普光电

问这个是为了炒股？

@elv_gzk #10
一方面，也是接下来最先进，最有前景的方向啊，打工人能够上这个船，可以跟着一起起飞了。

yls

深圳的新凯莱呀
前段时间在什么展会上展示过样机

用元宝DS版本的回答

如果2027年能看到国产EUV光刻机的实验样机，那么最有可能牵头完成这一里程碑的将会是 ​​上海微电子（SMEE）​​，并且它将深度协同包括​​长春光机所​​、​​哈工大​​等在内的科研机构以及产业链上的核心企业。

下面这个表格汇总了这些核心单位可能扮演的角色和技术贡献：

​​面临的挑战​​

从实验室样机到真正可投入半导体制造的工业级EUV光刻机，还有漫长的路要走，主要挑战包括：

1. ​​系统集成与稳定性​​：将顶尖的子系统（如光源、光学系统、双工件台）高度协同并持续稳定工作，是极大的工程挑战。EUV光刻机需要超净真空环境、纳米级的控制精度以及处理十万个以上零件的复杂性。

2. ​​量产与良率​​：实验样机成功不代表能大规模生产，也不意味着能达到芯片制造所需的高良率。如何提升设备的可靠性和生产率是关键。

3. ​​供应链自主​​：虽然国内在部分核心部件上取得突破，但一些高精度的部件（如特定传感器、高端镜片）可能仍依赖进口或需要进一步技术攻关。

4. ​​技术迭代​​：当我们在攻关EUV时，ASML已经在部署下一代High-NA EUV光刻机（如英特尔采用的EXE:5000），其单次曝光分辨率更高，进一步拉高了竞争门槛。

​​总结与展望​​

综合来看，若2027年国产EUV光刻机实验样机问世，​​上海微电子（SMEE）​​ 作为整机集成方是最可能的亮相单位，但这必然是​​国家队（长春光机所、哈工大等科研机构）牵头、多家核心企业（福晶科技、奥普光电等）协同攻关​​的成果。

这将会是中国半导体产业的一个​​重大里程碑​​，意味着我们在攻克最尖端半导体制造装备的道路上迈出了至关重要的一步。然而，从实验样机到稳定商用的量产机型，仍需时日，需要持续的技术攻坚、产业链协同和生态建设。

新凯莱（深圳新凯莱技术有限公司）作为中国半导体设备领域的“国家队”新锐，其发展路径和技术突破备受关注。它由深圳国资委全资控股，成立于2022年（注：另有信息显示其成立于2021年），核心团队源自华为2012实验室，承载着突破高端半导体设备“卡脖子”难题的使命。

新凯莱在光刻技术领域采取了独特的创新路径，其核心技术和特点如下表所示：

​​产业链与生态建设​​

新凯莱并非单打独斗，其快速发展得益于与多方力量的深度协同：

• ​​资本与政策支持​​：获得深圳国资委提供的​​15亿元注册资本​​及专项产业基金支持，并协调本地企业优先采购，加速设备验证和导入。

• ​​供应链合作​​：与国内厂商紧密合作，实现供应链自主可控。例如 ​​新莱应材​​ 为其提供真空系统、气体传输设备；​​至纯科技​​ 供应湿法清洗设备；​​联赢激光​​ 也成为了其供应商。

• ​​技术研发联盟​​：与​​华为​​联合研发SAQP等关键技术；与​​中科院长春光机所​​攻克光源难题；与各大高校共建联合实验室。

• ​​客户与验证​​：设备已进入​​中芯国际​​等国内头部晶圆代工厂的产线进行验证。

​​影响与未来展望​​

新凯莱的崛起对中国半导体产业具有多重意义：

• ​​加速国产替代​​：其设备价格更具竞争力，有助于快速提升国产设备在成熟制程及部分先进制程中的市场份额和市场信心。

• ​​保障供应链安全​​：在复杂的国际环境下，高端半导体设备的自主可控对于保障中国数字经济和信息安全具有战略意义。

• ​​技术发展多样性​​：新凯莱在​​第三代半导体​​（如碳化硅、氮化镓）设备以及​​先进封装​​技术上的布局，为中国芯片产业发展提供了更多可能路径和突破口。

​​总结​​

新凯莱凭借​​国家资本支持​​、​​华为技术基因​​和​​独特的创新路径​​，成为中国打破高端半导体设备垄断的重要力量。它虽未像ASML那样直接追求EUV光刻机的极限，但通过​​曲线救国​​的策略，在特定领域实现了有效突破，并致力于构建完整的国产设备生态。

其未来的成功，关键在于能否持续推动​​技术迭代​​、确保​​量产设备的稳定性和良率​​，并进一步扩大​​市场应用规模​​。

上海宇量昇（宇量晟）在半导体领域的主要业务涉及​​半导体精密件制造及晶圆机器人&工作台集成​​，主要客户为华为系的半导体设备厂商（如新凯来等），并配套“卡脖子设备”等高端设备。此外，该公司与美利信科技（一家压铸和半导体设备制造商）有合作关系，美利信科技旗下的重庆渝莱昇精密科技有限公司为其提供半导体精密件制造服务。

总结

上海宇量昇科技有限公司（YLS）是一家专注于半导体器件专用设备制造、电子专用材料研发及技术服务的公司，与华为系半导体设备厂商有紧密合作，业务涵盖半导体精密件制造和高端设备配套。

@tianqiliangle #13
感谢丰富了知识点，搜了一下，发现不是ASML，但是可以丰富设备生态。

@deepfuuk 小羊今天跑啦

听闻新凯来因为现金流的问题，貌似进展没那么理想？

能翻身的只可能是新凯来，国资和华为出钱，华为还出人

@hitzhukun 你小看了深圳国资委。对待万科都可以上百亿的nai，五年前的荣耀也是直接给nai 了2600亿

看资料，新凯莱不是最先进像ASML那样直接追求EUV光刻机的极限，但通过​​曲线救国​​的策略，在特定领域实现了有效突破。

2027年能看到14nm的国产DUV出来就很不错了，不要想EUV了。

这辈子可能都看不到

什么都是假的，只有炒股一夜暴富才是真的，有几个认真做EUV的，圈钱骗钱一大堆

“今年有DUV，两年后才可能有EUV”
是的，根据目前的信息，这个判断基本符合现实情况。下面我为你梳理一下DUV和EUV光刻机的现状、差异以及未来的发展预期。

DUV与EUV光刻机对比

光刻机是芯片制造的核心设备，DUV（深紫外）和EUV（极紫外）是两种关键的技术路线。它们的主要区别如下：

当前DUV光刻机的状况

目前DUV光刻机，特别是​​ArF浸没式光刻机​​，是国内外许多芯片制造企业的主力设备。通过​​多重曝光技术​​（如LELE、SADP），DUV光刻机可以支持到7nm制程工艺的生产，中芯国际就利用DUV设备制造了7nm制程的芯片。不过，多重曝光会导致​​工艺步骤增加、成本上升和良率挑战​​提高。

中国是全球DUV光刻机的重要市场，ASML的DUV光刻机仍能部分对华供应。中国企业也采购了大量DUV光刻机，部分用于保障现有产能，部分则用于​​技术研究和消化吸收​​，为自主研发打基础。

国内在DUV光刻技术方面已取得进展，上海微电子等企业已实现90nm制程DUV光刻机的量产，28nm浸没式光刻机也完成了工艺验证。

EUV光刻机的挑战与预期

EUV光刻机是生产7nm及更先进制程芯片的关键。目前全球仅有ASML能够制造EUV光刻机，其技术复杂度极高，涉及​​光源、光学系统、双工件台​​等众多尖端技术。

• ​​技术壁垒极高​​：EUV光源采用激光等离子体（LPP）技术，需要高功率激光轰击锡滴产生13.5nm波长的极紫外光，技术难度极大。物镜系统需要达到近乎完美的制造精度。一台EUV光刻机包含超过10万个零部件，来自全球5000多家供应商，技术整合难度极大。
  
• ​​严格的出口管制​​：美国联合荷兰、日本等国家对华实施了严格的EUV光刻机出口禁令，这使得中国目前无法通过商业渠道获取EUV光刻机。
  
• ​​国产EUV的研发预期​​：国内在EUV光源、双工件台、物镜系统等核心部件研发上已有布局和一定进展，但整体上EUV光刻机的研发仍需要长期的技术积累和巨额资金投入。有分析认为，国产EUV光刻机的原型机预计可能在​​2025年​​研制成功，而正式量产则要等到​​2027年​​。
  

这意味着什么

DUV光刻机在可预见的未来（至少未来两年），依然是国内许多芯片制造企业​​可依赖且相对现实的生产力工具​​，尤其是在成熟制程和通过多重曝光工艺制造较先进制程的芯片方面。

EUV光刻机的获取和自主研发确实面临巨大挑战，短期内难以实现。但对于突破5nm及更先进制程而言，EUV几乎是必经之路。因此，国内外都在积极攻关EUV技术。

未来展望

光刻技术的发展是持续的。即便在EUV领域，ASML也在开发更高数值孔径（High-NA）的EUV光刻机，以支持2nm及更以下制程。同时，业界也在探索如​​纳米压印（NIL）​​、​​定向自组装（DSA）​​ 等下一代光刻技术，这些技术可能在未来带来新的变革。

总结一下

所以你听到的“今年有DUV，两年后才可能有EUV”的说法，基本反映了当前光刻技术领域的现实：

1. ​​DUV光刻机​​技术相对成熟，是目前国内外许多芯片制造企业（包括国内厂商）​​正在使用且短期内仍将依赖​​的关键设备。
   
2. ​​EUV光刻机​​由于​​技术极其复杂​​且受到​​严格的出口限制​​，目前国内无法通过商业渠道获取。
   
3. 国产EUV光刻机的研发正在努力中，但面临巨大挑战，​​真正量产可能还需要数年时间​​（有分析指向2027年）。
   
4. 这意味着在未来两三年内，基于DUV光刻技术的芯片制造仍将是国内产业的重要组成部分，而EUV技术的突破和应用则是一个需要持续努力和期待的中长期目标。
   

希望以上信息能帮助你更好地理解当前的情况。如果你对某个特定方面，比如国产光刻机的具体进展或者多重曝光技术的细节更感兴趣，我很乐意提供更多我知道的信息。

现在国内的光刻机坏了不是华为在修吗？

@TTK1 DUV已经出来了！

新凯莱，很难上市的

我半导体，金融，审计背景都有。我认为euv光刻机最快的还得是上海微电子，时间在2028年左右。2030年中芯国际南方量产4纳米。和台积电差距缩小到8年。2050年可以彻底赶上台积电工艺。

@visvlee 国产DUV目前只量产了28nm。所以现在只是能生产5nm、7nm的芯片，不代表已经有了国产5nm、7nm光刻机。

今天听到新凯莱，想到这个帖子了